Infineon logra la fabricación de los primeros chips de potencia de carburo de silicio en obleas de 300 milímetros

La industria de los semiconductores registró un avance significativo con el anuncio del fabricante alemán Infineon Technologies sobre la producción de dispositivos de potencia funcionales de carburo de silicio (SiC). Este desarrollo se llevó a cabo utilizando obleas de 300 milímetros de diámetro en las instalaciones de la compañía ubicadas en Villach, Austria. El hecho representó un punto de inflexión en la manufactura tecnológica, orientado a optimizar los costos y elevar la capacidad de producción de componentes esenciales para la gestión energética en diversos sectores.

Detalles del proceso de fabricación

De acuerdo con la información oficial emitida el 9 de noviembre de 2026, la organización logró procesar estas obleas de dimensiones extendidas hasta convertirlas en dispositivos de potencia operativos. Un aspecto relevante de este proceso fue el uso de una fábrica de escala industrial equipada con maquinaria que anteriormente se destinaba al silicio convencional, lo que sugirió una integración eficiente de las nuevas tecnologías en infraestructuras existentes. La oblea resultante de este proceso se presentó al público entre el 10 y el 13 de noviembre en la feria de componentes electrónicos realizada en Múnich, Alemania.

Aunque el avance fue notorio, no se hicieron públicos detalles específicos sobre el tipo de componente fabricado, sus rangos de voltaje o los indicadores de rendimiento de producción, que determinan la cantidad de chips útiles obtenidos por cada oblea. Se ha señalado que, en esta etapa, el logro funcionó como una demostración de viabilidad técnica más que como el lanzamiento de un producto destinado al mercado comercial inmediato.

Impacto del diámetro en la producción industrial

En la fabricación de semiconductores, la oblea actúa como la base circular sobre la cual se graban los circuitos. El incremento en el diámetro de este disco resultó fundamental para la eficiencia económica: a mayor superficie, mayor es la cantidad de chips que se pueden extraer en un solo ciclo de producción, lo que redujo el costo individual de cada unidad. Históricamente, la producción de dispositivos de carburo de silicio se concentró en obleas de 150 milímetros, con una transición gradual de la industria hacia las de 200 milímetros.

La implementación de obleas de 300 milímetros supuso contar con una superficie aproximadamente 2,25 veces superior a la de una de 200 milímetros. Según las proyecciones técnicas, este aumento de tamaño permitió obtener 2,3 veces más chips por oblea. No obstante, la eficiencia final estará sujeta a variables como el tamaño específico de cada chip, el aprovechamiento de los bordes del disco y la presencia de posibles defectos en el material, datos que permanecieron bajo reserva técnica.

Propiedades y aplicaciones del carburo de silicio

El carburo de silicio es un compuesto químico de silicio y carbono que presentó ventajas operativas frente al silicio puro. Su capacidad para soportar voltajes elevados, temperaturas extremas y altas frecuencias, manteniendo niveles bajos de pérdida energética, lo convirtió en un material estratégico. Estas propiedades explicaron su uso frecuente en los inversores de motores para vehículos eléctricos, sistemas de carga rápida, convertidores para energías renovables y fuentes de alimentación de alta potencia.

A pesar de sus beneficios, el procesamiento de este material implicó desafíos técnicos considerables debido a su dureza y a la complejidad que supuso su corte y manipulación, lo que tradicionalmente elevó los costos de fabricación en comparación con otros semiconductores.

Innovación mediante la técnica Cold Split

El éxito de este anuncio se vinculó estrechamente con la aplicación de la tecnología denominada Cold Split o "división en frío". Esta técnica fue desarrollada por la firma Siltectra, la cual pasó a formar parte de la estructura de la compañía alemana en 2018. A diferencia de los métodos tradicionales que utilizaban hilos de diamante para cortar los bloques de cristal —proceso que generaba un desperdicio considerable de material—, el sistema Cold Split empleó un láser para crear una capa de debilidad bajo la superficie.

Posteriormente, mediante la aplicación de un polímero y un cambio controlado de temperatura, se provocó una fractura precisa que separó la oblea. Este método fue probado con éxito en materiales de 300 milímetros en la sede de Dresde, Alemania. Sin embargo, no se proporcionaron cifras exactas sobre la velocidad del proceso ni sobre el porcentaje de recuperación de material logrado con esta técnica.

Perspectivas futuras y mercado global

Jochen Hanebeck, presidente ejecutivo de la organización, manifestó que este resultado consolidó la posición de la empresa en el ámbito de los sistemas de potencia. Al dominar la producción en obleas de 300 milímetros para silicio, nitruro de galio y carburo de silicio, la entidad se posicionó para escalar su capacidad manufacturera a nivel global. Por el momento, no se estableció una fecha definitiva para el inicio de la producción masiva, ya que se continuó con la planificación junto a socios y clientes para aplicaciones en almacenamiento de energía y movilidad eléctrica.

Mientras se avanzó en esta nueva escala, la empresa mantuvo activa su línea de desarrollo en obleas de 200 milímetros. Para contextos como el colombiano, donde se observó un incremento en la adopción de flotas eléctricas y en el desarrollo de proyectos de energía solar, una eventual reducción en los costos de estos componentes podría influir en el precio final de vehículos e infraestructura de carga. No obstante, este impacto dependerá de la celeridad con la que la producción comercial alcance una escala global suficiente para transformar los precios del mercado.

Preguntas y respuestas de contexto

¿Qué logró la empresa Infineon y por qué es importante?

La compañía alemana fabricó los primeros chips de potencia de carburo de silicio en obleas de 300 milímetros, un tamaño que permite producir 2,3 veces más chips por unidad que los métodos actuales. Este avance es clave para reducir costos y aumentar la disponibilidad de componentes electrónicos.

¿En qué sectores se aplicará esta nueva tecnología?

Estos chips son fundamentales para la gestión de energía en vehículos eléctricos, sistemas de carga rápida, energías renovables y fuentes de alimentación de alta potencia. Su capacidad para soportar voltajes y temperaturas extremas los hace superiores al silicio convencional.

¿Cuándo llegará este avance al mercado comercial?

Aunque la viabilidad técnica se demostró en noviembre de 2026, todavía no hay una fecha definitiva para la producción masiva. Por ahora, la empresa continúa trabajando con socios y clientes en la planificación de aplicaciones para movilidad eléctrica y almacenamiento de energía.